Rambler's Top100
 
Все новости Новости отрасли

IBM начнет выпуск образцов чипов по 32-нанометровой технологии в текущем году

16 апреля 2008

На предприятии IBM в Ист-Фишкилле (штат Нью-Йорк) на 300-мм кремниевых подложках были изготовлены первые образцы чипов с применением 32-нанометровой технологии.

Техпроцесс IBM с нормами в 32 нанометра предполагает применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k) на основе гафния и транзисторов с металлическими затворами (metal gate). Методику high-k/metal gate (HKMG) уже использует корпорация Intel при выпуске процессоров семейства Penryn, изготавливающихся по 45-нанометровой технологии.


В IBM подчеркивают, что переход на 32-нанометровый техпроцесс позволит либо на 35% повысить производительность процессоров по сравнению с чипами, выполненными по 45-нанометрой технологии, либо снизить энергопотребление на 30-50% (в зависимости от рабочего напряжения). Предполагается, что в перспективе методику HKMG удастся адаптировать для 28-нанометрового, а затем и 22-нанометрового техпроцесса.


Наряду с экспертами IBM участие в исследованиях принимают специалисты Chartered Semiconductor Manufacturing, Freescale, Infineon Technologies, Samsung Electronics, STMicroelectronics и Toshiba. Альянс рассчитывает начать выпуск прототипов процессоров по 32-нанометровой технологии в третьем квартале, тогда как коммерческие продукты должны появиться в 2009 году. 32-нанометровый техпроцесс будет применяться при производстве чипов для беспроводных устройств (мобильных телефонов и коммуникаторов), игровых систем, мощных компьютеров корпоративного класса и серверов.


Кстати, Intel уже демонстрировала образцы микрочипов, выполненных по 32-нанометровой технологии. Ожидается, что данный техпроцесс будет внедрен на некоторых предприятиях Intel в 2009 году.

Источник: http://www.compulenta.ru/

Поделиться:
Заметили неточность или опечатку в тексте? Выделите её мышкой и нажмите: Ctrl + Enter. Спасибо!

Оставить свой комментарий:

Для комментирования необходимо авторизоваться!

Комментарии по материалу

Данный материал еще не комментировался.