Rambler's Top100
Все новости Новости компаний

Возглавляемый IBM полупроводниковый альянс представли опытный образец инновационного 32-нм чипа

21 апреля 2008

Опытный образец инновационного 32-нм чипа на базе транзисторов нового типа (с металлическим затвором и изолирующим слоем с высокой диэлектрической постоянной – "high-k/metal-gate") демонстрирует рост производительности до 35% и снижение потребляемой мощности до 45%. Энергосберегающая полупроводниковая технология теперь готова к началу практического применения

Корпорация IBM (NYSE: IBM) и ее партнеры по совместным разработкам – компании Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. (Chartered), Freescale Inc., Infineon Technologies AG, Samsung Electronics Co., Ltd. (Samsung), STMicroelectronics N.V. и Toshiba Corporation – сегодня сообщили о результатах совместных испытаний революционной полупроводниковой технологии, известной как HKMG (High-K/Metal Gate, «изолирующий слой с высокой диэлектрической проницаемостью/металлический затвор»). Эта технология предусматривает применение нового материала с великолепными диэлектрическими свойствами для важнейшего компонента полупроводникового чипа – изолирующего слоя в затворе полевого транзистора. Первые образцы чипов, демонстрирующие значительные преимущества в плане быстродействия и потребляемой мощности по сравнению с современными стандартами, были выпущены на новом полупроводниковом предприятии IBM в городе Ист Фишкилл, штат Нью-Йорк, на 300-мм кремниевых подложках. Благодаря этому совместному достижению партнеров по альянсу, новейшая технология чипов готова к разработке промышленных образцов и, в перспективе, к подготовке массового производства. Производители теперь могут приступить к проектированию чипов на основе этой инновационной полупроводниковой технологии, обеспечивая быстрый вывод своих продуктов на рынок и давая возможность потребителям воспользоваться преимуществами повышенной производительности новых электронных устройств при низком потреблении электроэнергии.

Высокие показатели производительности и энергосбережения были достигнуты на испытаниях опытных микросхем на кремниевой подложке с использованием технологии HKMG, изготовленных на оснащенной самым современным оборудованием полупроводниковой фабрике IBM в Ист Фишкилле. В результате тестовых испытаний участниками альянса было установлено, что новые чипы, созданные по 32-нанометровой производственной технологии, работают почти на 35% быстрее по сравнению с современными полупроводниковыми микросхемами на базе 45-нанометровой технологии, функционирующими на таком же напряжении. При этом, в зависимости от величины рабочего напряжения, энергопотребление 32-нм чипа может быть на 30-50% меньше по сравнению с 45-нм микросхемами. Более того, при проведении сравнительных испытаний производительности было установлено, что опытный чип на основе материала HKMG работает до 40% быстрее стандартного микропроцессора, изготовленного на основе традиционного материала Poly/SiON при аналогичных технологических параметрах.*

«Эти первые достижения в области применения материала "high-k/metal" убедительно свидетельствуют, что, работая совместно, мы можем создавать инновационные технологии, не имеющие себе равных в отрасли, — говорит Гэри Паттон (Gary Patton), вице-президент Центра исследований и разработок полупроводниковой техники (IBM Semiconductor Research and Development Center). — Демонстрация результатов такого уровня в ракурсе практического применения означает, что наши общие клиенты, перейдя на технологию следующего поколения с использованием материала HKMG, значительно укрепят свое конкурентное преимущество».

IBM, Chartered и Samsung, как основные участники альянса Common Platform, стали первыми производителями в OEM-отрасли, реализовавшими технологию HKMG в рамках 32-нанометрового техпроцесса. Созданное энергосберегающее 32-нм технологическое решение с полной совместимостью по основным технологическим нормам обеспечивает дальнейшее совершенствование технологии до уровня 28 нм. Поддержка кремниевых подложек для 32-нм HKMG-технологии будет обеспечиваться в рамках программы поэтапной разработки промышленного прототипа, которую планируется запустить в третьем квартале 2008 года. Результаты, свидетельствующие о практической осуществимости массового производства на базе опытных HKMG-устройств, созданных в центре нанотехнологий Albany NanoTech Complex при колледже College of Nanoscale Science and Engineering (город Олбани, штат Нью-Йорк), позволяют в перспективе адаптировать техпроцесс до 22-нм норм. Таким образом, потребители смогут пользоваться преимуществами материала "high-k/metal gate" и в следующих поколениях полупроводниковых устройств.

«Рынок полупроводниковых чипов продолжает оставаться одним из наиболее конкурентных в мире. Быстрый вывод новых продуктов на рынок в сочетании с увеличением числа модификаций отдельных продуктов является важнейшим условием успеха, — утверждает Дирк Ристер (Dirk Wrister), директор компании Freescale по технологическим процессам. — Результаты этой работы по созданию и тестированию опытных образцов чипа подтверждают то, что технология HKMG способна обеспечить высокий уровень дифференциации рынка как по ассортименту продуктов, так и по их производительности. Полученные результаты можно считать убедительной демонстрацией практической возможности и целесообразности применения технологии "high-k/metal gate" в рамках 32-нм техпроцесса».

29 января 2007 года корпорация IBM и ее партнеры по исследованиям (включая Sony и Toshiba) представили инновационную технологию "high-k/metal-gate" как основу для долгожданного улучшения характеристик транзистора – крошечного коммутатора, который служит основным «строительным блоком» всех современных микросхем. Применение нового материала с высокой диэлектрической проницаемостью при изготовлении затвора транзистора (выполняющего эту функцию «включения-выключения») во многом обусловило развитие 32-нанометрового полупроводникового техпроцесса, позволяющего создавать более миниатюрные, быстродействующие и энергосберегающие чипы.

 * Все документально подтвержденные данные получены в процессе тестовых испытаний, проведенных участниками альянса на предприятии IBM по производству полупроводниковых чипов, расположенном в городе Ист Фишкилл, штат Нью-Йорк, а также в собственных исследовательских лабораториях и производственных площадках участников альянса.

Заметили неточность или опечатку в тексте? Выделите её мышкой и нажмите: Ctrl + Enter. Спасибо!
Поделиться:

Оставить свой комментарий:

Для комментирования необходимо авторизоваться!

Комментарии по материалу

Данный материал еще не комментировался.