Rambler's Top100
Все новости Новинки

Замена флэш-памяти: ученые совершили прорыв

30 октября 2009

Intel и Numonyx разработали способ наложения слоев такой памяти друг на друга, что открывает возможность создания фазовых систем хранения данных с более высокой плотностью записи информации, меньшим потреблением энергии и миниатюрными размерами.

В рамках совместного исследовательского проекта компании разработали метод производства вертикально интегрированных ячеек PCM(S). Каждая такая ячейка включает два элемента, находящиеся в параллельных слоях: PCM и переключающий модуль Ovonic Threshold Switch (OTS). В совокупности PCM(S) формируют узловой массив. Возможность накладывать слои PCM(S)-ячеек друг на друга позволяет увеличивать плотность хранения информации, сохраняя характеристики однослойной фазовой памяти.

Ячейки фазовой памяти создаются путем соединения элемента хранения данных и переключающего элемента. Использовать PCM в качестве элемента хранения данных пытались давно, но ранее применялось сразу несколько типов переключающих элементов, что приводило к ограничениям массивов по размеру и эффективности. Инженеры Intel и Numonyx смогли решить эту проблему. Разработчики продемонстрировали, что сброс информации, хранимой в ячейках, выполняется за 9 нс, и сама память не теряет свойств даже в после 1 млн циклов перезаписи.

«Сделан многообещающий научный прорыв, - Грег Этвуд (Greg Atwood), сотрудник Numonyx, специалист в области технологий. – Он показывает, что мы можем создавать память с еще большей плотностью, увеличивать размер массивов и в будущем использовать фазовую память там, где сейчас стоят модули флеш-памяти NAND-архитектуры. Это очень важно, так как традиционная флэш-память подходит к пределу своих физических и функциональных возможностей. Между тем, потребность в памяти остается. Все больше и больше памяти необходимо для самых различных продуктов – от мобильных устройств до центров обработки данных».

Более подробная информация по открытию будет приведена в совместном докладе «Многослойная узловая память на базе фазовых переходов» (A Stackable Cross Point Phase Change Memory) на конференции International Electron Devices Meeting 2009 в Балтиморе, штат Мэриленд, 9 декабря 2009 г. О начале поставок многослойной фазовой памяти в Intel пока не говорят.

Помимо Intel и Numonyx, исследованиями в данном направлениями занимаются STMicroelectronics, IBM и другие компании. По словам ученых, память на фазовых переходах в течение следующих лет станет наиболее подходящей заменой современной флэш-памяти. Предполагается, что со временем PCM будет использоваться в сотовых телефонах, цифровых камерах, MP3-плеерах, компьютерах и другом оборудовании. Широкое проникновение фазовой памяти — одна из основных задач, которая сегодня стоит перед ее создателями. Между тем, впервые о памяти на базе фазовых переходов в агрегатном состоянии вещества было заявлено около 30 лет назад.

Источник: CNews

Заметили неточность или опечатку в тексте? Выделите её мышкой и нажмите: Ctrl + Enter. Спасибо!
Поделиться:

Оставить свой комментарий:

Для комментирования необходимо авторизоваться!

Комментарии по материалу

Данный материал еще не комментировался.