Rambler's Top100
Все новости

Десять революционных полупроводниковых технологий IBM за десять лет

25 мая 2007
IBM представила технологию Airgap – очередное крупное достижение IBM в области проектирования полупроводниковых кристаллов. Новая технология создана в научно-исследовательских лабораториях IBM, деятельность которых за последние десять лет изменила ситуацию в ИТ-отрасли благодаря новым материалам и проектировочным принципам, позволяющим создавать более мощные полупроводниковые чипы с уменьшенными размерами и пониженным потреблением энергии.

Еще в 1997 г. IBM первой в отрасли внедрила медные проводники вместо алюминиевых, что позволило сразу же снизить электрическое сопротивление на 35% и повысить производительность чипов на 15%.

В дальнейшем ученые IBM продолжили свою работу по повышению производительности в соответствии с законом Мура. Среди многочисленных инноваций, созданных в лабораториях IBM за истекшее десятилетие, выделяются следующие десять достижений:
  • Медные проводники (сентябрь 1997 г.).
  • Технология «кремний на диэлектрике» (август 1998 г.). Эта технология позволяет эффективно изолировать друг от друга миллионы транзисторов, применяющихся в современных чипах, в результате чего сокращается энергопотребление и повышается производительность.
  • Технология напряженного кремния (июнь 2001 г.). Эта технология создает напряжение материала внутри кристалла, в результате чего уменьшается электрическое сопротивление и ускоряется протекание электронов через транзисторы, что, в свою очередь, повышает производительность и уменьшает энергопотребление.
  • Двухъядерные процессоры (октябрь 2001 г.). Первый в мире двухъядерный процессор POWER4 был представлен как компонент сервера Regatta – самой мощной системы семейства System p.
  • Иммерсионная литография (декабрь 2004 г.). IBM первой применила эту новаторскую производственную технологию, позволяющую формировать схемные элементы уменьшенного размера для создания коммерческих процессоров.
  • Замороженный кремний-германиевый чип (июнь 2006 г.). В 1990-х годах IBM первой применила кремний-германиевые полупроводники для замены дорогостоящих экзотических материалов, что позволило создавать более дешевые чипы с уменьшенными размерами и увеличенной скоростью работы. IBM начала продавать такие чипы и производителям различных беспроводных продуктов, в том числе мобильных телефонов и маршрутизаторов. В прошлом году IBM в содружестве с Технологическим университетом штата Джорджия – и при поддержке НАСА – продемонстрировала первый кремний-германиевый чип, который при охлаждении почти до абсолютного нуля способен функционировать на тактовой частоте 500 ГГц .
  • Диэлектрик с высоким значением k/металлический затвор (январь 2007 г.). IBM решила одну из самых неприятных проблем, стоящих сегодня перед проектировщиками электронных компонентов: большие токи утечки транзисторов. На основе новых материалов специалисты IBM разрабатывают структуры типа «диэлектрик с высоким значением k/металлический затвор», которые позволят производить продукты с увеличенным быстродействием, уменьшенными размерами и повышенной эффективностью энергопотребления.
  • Память eDRAM (февраль 2007 г.). Благодаря переходу с памяти типа SRAM на инновационную скоростную память типа eDRAM IBM сможет более чем в три раза увеличить объем встроенной памяти процессорного чипа и существенно повысить его производительность.
  • Трехмерная компоновка чипов (апрель 2007 г.). IBM создала т.н. «трехмерные» чипы на основе технологии through-silicon vias (соединения сквозь кремний), которая позволяет дополнить горизонтальную компоновку полупроводниковых элементов их вертикальным пакетированием, в результате чего длина критических внутрисхемных соединений сокращается примерно в тысячу раз.
  • Технология Airgap (май 2007 г.). С помощью нанотехнологии «самосборки» между километрами проводников внутри процессора Power формируется безвоздушное пространство, в результате чего сокращается нежелательное емкостное сопротивление, и, как результат, повышается производительность и снижается энергопотребление.

    25.05.2007

Заметили неточность или опечатку в тексте? Выделите её мышкой и нажмите: Ctrl + Enter. Спасибо!
Поделиться:

Оставить свой комментарий:

Для комментирования необходимо авторизоваться!

Комментарии по материалу

Данный материал еще не комментировался.