Rambler's Top100
Все новости

IBM переводит закон Гордона Мура в третье измерение

22 мая 2007
IBM анонсировала передовую полупроводниковую технологию, использующую метод chip-stacking (монтаж в одном корпусе нескольких чипов друг над другом), которая открывает путь к широкому распространению производственного процесса трехмерной упаковки микросхем. Это достижение будет, несомненно, способствовать «продлению жизни» и расширению сферы действия известного закона Мура, согласно которому число транзисторов в кристалле удваивается каждые 12-18 месяцев, вследствие чего соответствующим образом растет производительность процессоров. Новая технология, получившая название through-silicon vias («внутрикремниевые межсоединения»), позволяет выполнять сверхплотную упаковку компонентов микросхемы, что очень важно при создании быстродействующих компактных электронных систем с низким энергопотреблением.

Эта инновационная методика дает возможность перейти от двухмерных (2D) горизонтальных топологий чипов к трехмерной (3D) упаковке кристалла. Например, если ядра процессора и элементы памяти традиционно располагались рядом, «бок о бок» на кремниевой пластине, то теперь их можно компоновать друг над другом. В итоге формируется компактная многослойная структура полупроводниковых элементов, которая позволяет значительно уменьшить размеры корпуса микросхемы и повысить пропускную способность межсоединений функциональных компонентов чипа.

«Это достижение является результатом более чем десятилетних исследований IBM, – отмечает Лиза Су (Lisa Su), вице-президент Semiconductor Research and Development Center, научно-исследовательского центра IBM по полупроводниковым технологиям. – Теперь у нас появилась возможность перевести технологию создания 3D-чипов из разряда перспективной лабораторной методики в категорию серийного производственного процесса изготовления широкого спектра электронных продуктов».

Новый технологический метод IBM устраняет необходимость в относительно длинных металлических проводниках, которые сегодня соединяют между собой 2D-чипы и их составные элементы, заменяя эти проводники т.н. внутрикремниевыми соединениями. Межсоединения through-silicon vias представляют собой вертикальные каналы, протравленные в кремниевой пластине и заполненные металлом. Такие внутрикремниевые соединения позволяют располагать на пластине несколько чипов по вертикали друг над другом и, в итоге, значительно увеличить объем данных, проходящий через эти чипы. Благодаря новой технологии расстояние, которое необходимо преодолевать потокам данных в микросхеме, сокращается почти в 1000 раз. Кроме того, эта методика позволяет реализовать в 100 раз больше каналов связи для обмена данными по сравнению с 2D-чипами.

IBM уже начала применять методику внутрикремниевых межсоединений в своем технологическом процессе производства микросхем. Опытные образцы таких чипов появятся во второй половине 2007 г., а массовое производство чипов с использованием технологии through-silicon vias будет освоено в 2008 г. Как ожидается, свое первое широкое применение методика внутрикремниевых межсоединений найдет в микросхемах усилителей мощности базовых станций беспроводных сетей и сотовой телефонии. 3D-чипы планируется также использоваться в наборах микросхем высокопроизводительных серверов и суперкомпьютеров IBM, предназначенных для решения ресурсоемких вычислительных задач в области научных исследований и бизнеса.

Чипы, которые IBM выполнила по новой технологии внутрикремниевых межсоединений, уже появились, в частности, в электронных компонентах беспроводного коммуникационного оборудования, процессорах серии Power, чипах суперкомпьютера Blue Gene и модулях памяти с высокой пропускной способностью:
  • Полупроводниковая 3D-технология для беспроводного коммуникационного оборудования. IBM применяет технологию внутрикремниевых межсоединений для повышения (вплоть до 40%) выходной мощности беспроводных коммуникационных устройств, построенных на кремниево-германиевых полупроводниковых компонентах, что позволяет увеличить срок службы батарей питания. Технология through-silicon vias дает возможность отказаться от использования проводных соединений между чипами, менее эффективных для передачи сигналов.
  • Полупроводниковая 3D-технология для стабилизации электропитания процессоров Power. Одно из ограничений производительности микропроцессоров по мере роста количества ядер - необходимость обеспечения единых характеристик стабилизированного питания всех частей чипа. Технологиях through-silicon vias позволяет значительно снизить потери мощности на межсоединениях в результате уменьшения линейных размеров проводников цепей питания в кристалле, что дает возможность повысить быстродействие процессора при сокращении его энергопотребления до 20%.
  • Полупроводниковая 3D-технология для чипсетов суперкомпьютера Blue Gene и модулей памяти. Прогрессивная технология 3D chip-stacking позволяет размещать высокопроизводительные чипы друг над другом, т.е. реализовать, например, архитектуры «процессор-на-процессоре» или «память-на-процессоре». IBM развивает эту инновационную методику, постепенно заменяя традиционные микросхемы, используемые в компонентах IBM Blue Gene, самого быстрого на сегодняшний день суперкомпьютера в мире, на 3D-чипы. Кроме того, IBM применяет полупроводниковую 3D-технологию в целях кардинального изменения структуры электрических связей между микропроцессором и памятью, направленного на значительное увеличение быстродействия обмена данными между этими компонентами. В перспективе это позволит создавать суперкомпьютеры нового поколения. IBM уже выпустила соответствующий прототип статической памяти SRAM на своей 300 мм производственной линии с использованием 65-нм технологического процесса.


22.05.2007

Заметили неточность или опечатку в тексте? Выделите её мышкой и нажмите: Ctrl + Enter. Спасибо!
Поделиться:

Оставить свой комментарий:

Для комментирования необходимо авторизоваться!

Комментарии по материалу

Данный материал еще не комментировался.