Rambler's Top100
Реклама
 
Все новости Новости компаний

Toshiba представляет мощные МОП-транзисторы с каналом n-типа на 100 В

14 апреля 2017

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) расширяет серию устройств U-MOS VIII-H и представляет два новых низковольтных мощных МОП-транзистора с каналом n-типа.

МОП-транзисторы предназначены для применения в таких системах, как устройства быстрой зарядки, импульсные источники питания и преобразователи постоянного тока. Оба мощных МОП-транзистора с каналом n-типа на 100 В поддерживают управление логическими уровнями 4,5 В для устройств быстрой зарядки.

Наряду с популярными устройствами быстрой зарядки более эффективные мощные МОП-транзисторы также необходимы для работы в выпрямителях на вторичной стороне. В новых МОП-транзисторах используется технологический процесс формирования структуры канавки для низковольтных устройств, позволяющий добиться ведущих в отрасли показателей сопротивления в открытом состоянии и быстродействия.

Усовершенствованная структура полупроводника обеспечивает увеличение основного показателя добротности (RDS(ON) * Qsw), тем самым повышая эффективность работы схем переключения. Потери на выходе снижаются за счет уменьшения выходного заряда, что повышает эффективность работы систем.

Допустимый ток транзистора TPH6R30ANL (ID) составляет до 45 А при низком RDS(ON), равном всего 6,3 мОм, тогда как для TPH4R10ANL эти значения равны 70 А и 4,1 мОм.

Поддержка управления логическими уровнями 4,5 В позволяет реализовать непосредственное управление от ИС контроллера, и тем самым снизить энергопотребление. Кроме того, транзисторы совместимы с источниками питания с высоким выходным напряжением, необходимыми в системах, поддерживающих стандарт USB 3.0. Стандартный корпус SOP-Advance размером 5 мм x 6 мм помогает экономить пространство на печатной плате.

Оба устройства уже доступны для заказа.
Заметили неточность или опечатку в тексте? Выделите её мышкой и нажмите: Ctrl + Enter. Спасибо!

Читайте также:

В Москве появится первое в России производство транзисторов на основе нитрида галлия

Создан транзистор, меняющий конфигурацию «на лету»

Закон Мура будет актуален после 2025 года благодаря разработкам Intel

Продажи жестких дисков катастрофически обвалились по всему миру

Завод Ангстрем-Т освоил технологию производства Trench MOSFET

Оставить свой комментарий:

Для комментирования необходимо авторизоваться!

Комментарии по материалу

Данный материал еще не комментировался.