Rambler's Top100
 
Все новости

Intel строит завод по производству 300-мм подложек по 45-нм технологии в Израиле

05 декабря 2005
Корпорация Intel приступает к строительству завода Fab 28 по производству 300-миллиметровых подложек по 45-нанометровой технологии в Израиле. Производство начнется со второй половины 2008 г. Fab 28 станет вторым заводом Intel, на котором будет внедрен 45-нанометровый технологический процесс производства процессоров. Стоимость завода – $3,5 млрд.

После ввода в эксплуатацию Fab 28 станет седьмым заводом Intel, производящим 300-миллиметровые подложки. В течение следующих 7 лет в Intel будет создано более 2 000 рабочих мест. Правительство Израиля обеспечивает финансовую поддержку строительства нового завода.

Сейчас 300-миллиметровые подложки выпускают 5 заводов Intel, которые расположены в штатах Орегон, Аризона и Нью-Мексико, а также в Ирландии, где в I квартале 2006 г. будет введен дополнительный модуль по производству 300-миллиметровых подложек (Fab 24-2). В июле Intel объявила о намерении инвестировать более $3 млрд. в строительство еще одного завода по производству 300-миллиметровых подложек – Fab 32 в Чэндлере (штат Аризона).

Производство 300-миллиметровых подложек позволяет значительно снизить себестоимость изготовления полупроводниковых микросхем по сравнению со стандартными 200-миллиметровыми. При использовании 300-миллиметровых подложек требуется на 40% меньше электроэнергии и воды в расчете на одну микросхему, чем при производстве с использованием 200-миллиметровых подложек. Производственная технология Intel с проектной нормой 45 нм, которая впервые будет применена в массовом производстве на Fab 32, позволит разместить то же количество микросхем на примерно вдвое меньшей площади по сравнению с 90-нм технологией.

Начиная с 2000 г. Intel инвестировала более $40 млрд. в средства производства, научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы. Сейчас Intel поставляет десятки миллионов процессоров, выпущенных по 90-нанометровой производственной технологии, и уже начала поставки микросхем, созданных с помощью 65-нанометрового техпроцесса.

05.12.2005

Заметили неточность или опечатку в тексте? Выделите её мышкой и нажмите: Ctrl + Enter. Спасибо!
Поделиться:

Оставить свой комментарий:

Для комментирования необходимо авторизоваться!

Комментарии по материалу

Данный материал еще не комментировался.