Rambler's Top100
 
Все новости

Intel первой продемонстрировала работающие микросхемы, изготовленные по 45-нм технологии

30 января 2006
Корпорация Intel объявила, что первой в мире создала полностью работоспособную микросхему статической памяти (SRAM, Static Random Access Memory), изготовленную по 45-нанометровой производственной технологии — новейшей технологии массового производства полупроводниковых компонентов.

Это подтверждает планы Intel начать производство микросхем по 45-нанометровой производственной технологии с использованием 300-мм подложек в 2007 году, а также ее намерение следовать закону Мура, внедряя производственные процессы новых поколений каждые два года.

45-нанометровая производственная технология Intel позволит выпускать микросхемы, ток утечки в которых снижен более чем в пять раз по сравнению с микросхемами, выпускающимися сейчас. Это позволит увеличить время автономной работы мобильных устройств, а также открыть новые возможности для создания компактных платформ с расширенной функциональностью.

Микросхема статической памяти, изготовленная по 45-нанометровой производственной технологии, содержит более 1 миллиарда транзисторов. Несмотря на то, что устройство не является конечной продукцией, оно демонстрирует эффективность технологии, работоспособность процесса и надежность микросхем в преддверии выпуска процессоров и других интегральных микросхем по 45-нанометровой производственной технологии.

Ранее Intel объявила о том, что кроме фабрики D1D в штате Орегон, где были проведены начальные работы по развертыванию 45-нанометрового производственного процесса, строятся еще две фабрики по массовому производству микросхем по 45-нанометровой производственной технологии: Fab 32 в штате Аризона и Fab 28 в Израиле.

30.01.2006





Поделиться:
Заметили неточность или опечатку в тексте? Выделите её мышкой и нажмите: Ctrl + Enter. Спасибо!

Оставить свой комментарий:

Для комментирования необходимо авторизоваться!

Комментарии по материалу

Данный материал еще не комментировался.