| Рубрикатор |  |
 |
Реклама
| Все новости | |
|
Intel первой продемонстрировала работающие микросхемы, изготовленные по 45-нм технологии
| 30 января 2006 |
Это подтверждает планы Intel начать производство микросхем по 45-нанометровой производственной технологии с использованием 300-мм подложек в 2007 году, а также ее намерение следовать закону Мура, внедряя производственные процессы новых поколений каждые два года.
45-нанометровая производственная технология Intel позволит выпускать микросхемы, ток утечки в которых снижен более чем в пять раз по сравнению с микросхемами, выпускающимися сейчас. Это позволит увеличить время автономной работы мобильных устройств, а также открыть новые возможности для создания компактных платформ с расширенной функциональностью.
Микросхема статической памяти, изготовленная по 45-нанометровой производственной технологии, содержит более 1 миллиарда транзисторов. Несмотря на то, что устройство не является конечной продукцией, оно демонстрирует эффективность технологии, работоспособность процесса и надежность микросхем в преддверии выпуска процессоров и других интегральных микросхем по 45-нанометровой производственной технологии.
Ранее Intel объявила о том, что кроме фабрики D1D в штате Орегон, где были проведены начальные работы по развертыванию 45-нанометрового производственного процесса, строятся еще две фабрики по массовому производству микросхем по 45-нанометровой производственной технологии: Fab 32 в штате Аризона и Fab 28 в Израиле.
30.01.2006
Заметили неточность или опечатку в тексте? Выделите её мышкой и нажмите: Ctrl + Enter. Спасибо!
Адрес: 105082, Россия, г. Москва, 2-й Ирининский пер, д. 3
Оставить свой комментарий:
Комментарии по материалу
Данный материал еще не комментировался.