| Рубрикатор |  |
 |
| Все новости |  |
Новости отрасли | |
|
В России займутся передовой микроэлектроникой
| 10 июля 2014 |
В Томске создается производство элементной базы на основе GaAs-технологии. Предприятие планируется создать в ОЭЗ «Томск» на базе компании «Субмикронные технологии» — ведущей разработку элементной базы СВЧ–диапазона на основе арсенид-галлиевой (GaAs) технологии для систем телекоммуникаций и радиолокации.
«Россия существенно отстает от мирового сообщества по развитию кремниевой и арсенидгаллиевой микроэлектроники, поэтому речь идет не сколько об инновациях, сколько о догоняющей модернизации, — говорит директор ООО «Субмикронные технологии» Валерий Кагадей. — Наши микросхемы уникальны для России, а технологические особенности их изготовления могут сделать нашу продукцию конкурентоспособной и на мировом рынке».В компании «Субмикронные технологии» разрабатывают новые продукты и технологии производства монолитных схем на арсениде и нитриде галлия. По сравнению с кремниевыми микросхемами, арсенид-галлиевые обладают рядом преимуществ. Высокая подвижность носителей заряда позволяет GaAs приборам работать на частотах до 300 ГГц и выше, иметь лучшую динамику, меньший шум. Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия имеют более высокую радиационную стойкость, чем кремниевые ИС, поэтому могут использоваться в условиях космоса, обеспечивая высокоскоростную передачу данных и телевещание. Транзисторы на основе нитрида галлия по своим частотным свойствам похожи на арсенидгаллиевые, но сохраняют работоспособность при более высоких температурах и напряжениях, поэтому этот материал крайне привлекателен для создания мощных и сверхмощных СВЧ усилителей.
«Наша цель — создание высокоэффективного производства сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе арсенида и нитрида галлия, оборудованного по самым высоким мировым стандартам и способного удовлетворить растущий спрос отечественных изготовителей электронной техники СВЧ», — подчеркивает Валерий Кагадей.По его словам, после завершения основных научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ на базе ООО «Субмикронные технологии» будет создано предприятие, учредителями которого выступят ЗАО «НПФ «Микран» и ОАО «Концерн радиостроения «Вега». Материнские компании обеспечат и гарантированное потребление части продукции, что наряду с быстрой доставкой и низкими транспортными расходами является конкурентным преимуществом проекта. Концерн радиостроения «Вега» сейчас ведет проектирование лабораторно-производственного корпуса на территории Южной площадки ОЭЗ «Томск». Планируется, что численность работников на производстве после завершения проекта составит более сотни человек.
«Основными потребителями станут учредители нового предприятия — НПФ «Микран» и концерн «Вега», — подтверждает Валерий Кагадей. — Микросхемы будут интегрироваться в модули, изготовленные на «Микране», а затем в конечную продукцию средств связи и передачи данных, а также в контрольно-измерительную аппаратуру СВЧ. Мы планируем, что будет спрос и со стороны других российских предприятий радиоэлектронной промышленности».
ООО «Субмикронные технологии» — дочернее предприятие НПФ «Микран», с 17 сентября 2007 года является резидентом ОЭЗ «Томск». Основная деятельность предприятия связана с разработкой и внедрением на рынок широкой номенклатуры СВЧ монолитных интегральных схем для создания современных радиолокационных, телекоммуникационных и информационных систем.Читайте также:
РНФ выделит гранты на проекты по микроэлектронике компаниям из ОЭЗ «Технополис Москва»
В России начнут создавать полигоны для тестов в микроэлектронике
Минобрнауки и Ростех усиливают работу для обеспечения технологического суверенитета страны
Стартапы в области микроэлектроники выросли в два раза в 2023 году
Создана сверхкомпактная навигационная система для беспилотников
Адрес: 105082, Россия, г. Москва, 2-й Ирининский пер, д. 3
Оставить свой комментарий:
Комментарии по материалу
Данный материал еще не комментировался.