Рубрикатор |
Все новости | Новости компаний |
Завод Ангстрем-Т освоил технологию производства Trench MOSFET
25 января 2019 |
АО «Ангстрем-Т» освоило современную технологию производства силовых транзисторов Trench MOSFET. В данный момент Ангстрем-Т является единственным в России производителем, который может выпускать транзисторы такого типа.
Силовые Trench MOSFET-транзисторы массово применяются в любой электронной технике, где необходимо преобразовывать и управлять электроэнергией: например, в каждом устройстве, для работы которого используется аккумулятор или блок питания.В отличие от планарной, Trench MOSFET-технология позволяет достичь качественно более высоких и оптимальных параметров транзисторов. Это даёт возможность конструировать современную электронную технику с высокими показателями энергоэффективности, а также снижать её массу и габариты.
Объем мирового рынка MOSFET транзисторов составляет не менее 6 млрд долларов в год и по оценке аналитиков, он будет стабильно расти еще в течение ближайших десяти лет. Этому способствует рост рынков компьютерной и носимой электроники, развитие робототехники, а также массовый переход на электрический транспорт.
Заметили неточность или опечатку в тексте? Выделите её мышкой и нажмите: Ctrl + Enter. Спасибо!
Оставить свой комментарий:
Комментарии по материалу
Данный материал еще не комментировался.