Rambler's Top100
Все новости Новости отрасли

В России займутся передовой микроэлектроникой

10 июля 2014

В Томске создается производство элементной базы на основе GaAs-технологии. Предприятие планируется создать в ОЭЗ «Томск» на базе компании «Субмикронные технологии» — ведущей разработку элементной базы СВЧ–диапазона на основе арсенид-галлиевой (GaAs) технологии для систем телекоммуникаций и радиолокации.

«Россия существенно отстает от мирового сообщества по развитию кремниевой и арсенидгаллиевой микроэлектроники, поэтому речь идет не сколько об инновациях, сколько о догоняющей модернизации, — говорит директор ООО «Субмикронные технологии» Валерий Кагадей. — Наши микросхемы уникальны для России, а технологические особенности их изготовления могут сделать нашу продукцию конкурентоспособной и на мировом рынке».

В компании «Субмикронные технологии» разрабатывают новые продукты и технологии производства монолитных схем на арсениде и нитриде галлия. По сравнению с кремниевыми микросхемами, арсенид-галлиевые обладают рядом преимуществ. Высокая подвижность носителей заряда позволяет GaAs приборам работать на частотах до 300 ГГц и выше, иметь лучшую динамику, меньший шум. Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия имеют более высокую радиационную стойкость, чем кремниевые ИС, поэтому могут использоваться в условиях космоса, обеспечивая высокоскоростную передачу данных и телевещание. Транзисторы на основе нитрида галлия по своим частотным свойствам похожи на арсенидгаллиевые, но сохраняют работоспособность при более высоких температурах и напряжениях, поэтому этот материал крайне привлекателен для создания мощных и сверхмощных СВЧ усилителей.

«Наша цель — создание высокоэффективного производства сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе арсенида и нитрида галлия, оборудованного по самым высоким мировым стандартам и способного удовлетворить растущий спрос отечественных изготовителей электронной техники СВЧ», — подчеркивает Валерий Кагадей.
По его словам, после завершения основных научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ на базе ООО «Субмикронные технологии» будет создано предприятие, учредителями которого выступят ЗАО «НПФ «Микран» и ОАО «Концерн радиостроения «Вега». Материнские компании обеспечат и гарантированное потребление части продукции, что наряду с быстрой доставкой и низкими транспортными расходами является конкурентным преимуществом проекта. Концерн радиостроения «Вега» сейчас ведет проектирование лабораторно-производственного корпуса на территории Южной площадки ОЭЗ «Томск». Планируется, что численность работников на производстве после завершения проекта составит более сотни человек.

«Основными потребителями станут учредители нового предприятия — НПФ «Микран» и концерн «Вега», — подтверждает Валерий Кагадей. — Микросхемы будут интегрироваться в модули, изготовленные на «Микране», а затем в конечную продукцию средств связи и передачи данных, а также в контрольно-измерительную аппаратуру СВЧ. Мы планируем, что будет спрос и со стороны других российских предприятий радиоэлектронной промышленности».

ООО «Субмикронные технологии» — дочернее предприятие НПФ «Микран», с 17 сентября 2007 года является резидентом ОЭЗ «Томск». Основная деятельность предприятия связана с разработкой и внедрением на рынок широкой номенклатуры СВЧ монолитных интегральных схем для создания современных радиолокационных, телекоммуникационных и информационных систем. 
Поделиться:
Заметили неточность или опечатку в тексте? Выделите её мышкой и нажмите: Ctrl + Enter. Спасибо!

Оставить свой комментарий:

Для комментирования необходимо авторизоваться!

Комментарии по материалу

Данный материал еще не комментировался.