| Рубрикатор |  |
 |
| Все новости | |
|
IBM представляет технологию для нового поколения интегральных схем
| 15 февраля 2007 |
В сотрудничестве со своими партнерами по разработке – AMD, Sony и Toshiba – IBM нашел способ для формирования важнейшего элемента транзистора из нового материала. Это открывает путь к созданию микросхем, которые меньше по размерам, работают быстрее и потребляют энергию экономнее, чем это считалось возможным до сегодняшнего дня. Что не менее важно, эта технология с минимальными доработками оборудования и процессов может быть внедрена в существующие линии по производству микросхем, что гарантирует ее жизнеспособность в современных экономических условиях.
Ожидается, это достижение окажет сильное воздействие на многие отрасли и приведет к совершенствованию электронных систем всех типов – от компьютеров до устройств потребительской электроники. IBM уже внедрил эту технологию в свою самую современную линию по производству полупроводниковых компонентов в Ист-Фишкилле (штат Нью-Йорк) и, начиная с 2008 г., планирует ее применение в микросхемах, изготавливаемых по проектной норме 45 нм.
«До сегодняшнего дня будущее полупроводниковой отрасли виделось весьма туманным – было совершенно неясно, насколько далеко мы сможем продвинуться с существующими технологиями, – говорит д-р Т. С. Чен (T.C. Chen), вице-президент подразделения IBM Research по науке и технологиям. – После более чем десяти лет работы мы получили направление для дальнейшего движения. В условиях, когда полупроводниковые микросхемы широко используются во всех сферах жизни, эта работа принесет пользу людям самыми различными способами».
Эта технология, относящаяся к категории high-k/metal-gate (диэлектрик с высоким значением k/металлический затвор), внедряет новый материал в важнейшую часть транзистора, которая управляет выполнением его первичной, т.н. «переключательной» функции. Новый материал существенно превосходит своих предшественников по электрическим характеристикам, улучшает процессы функционирования транзистора и позволяет уменьшить его размеры по сравнению с достижимыми сегодня пределами.
Как следствие, применение этого материала позволит отрасли и в дальнейшем развиваться по т.н. «Закону Мура» – постулату полупроводниковой индустрии, согласно которому число транзисторов в кристалле удваивается каждые 12-18 месяцев, вследствие чего соответствующим образом растут такие показатели кристаллов, как производительность и функциональность. На протяжении десятилетий полупроводниковая отрасль могла поддерживать этот темп совершенствования, однако при использовании нынешних технологий она уже приближалась к своему пределу, что угрожало замедлить ее будущее развитие.
15.02.2007
Заметили неточность или опечатку в тексте? Выделите её мышкой и нажмите: Ctrl + Enter. Спасибо!
Адрес: 105082, Россия, г. Москва, 2-й Ирининский пер, д. 3
Оставить свой комментарий:
Комментарии по материалу
Данный материал еще не комментировался.