Rambler's Top100
Все новости

IBM представляет технологию On-Chip Dynamic Memory

21 марта 2007
На ежегодной международной конференции по интегральным схемам International Solid State Circuits Conference (ISSCC) IBM представила первую в своем роде технологию «внутрикристалльной памяти» (on-chip memory), которая демонстрирует наилучшие показатели времени доступа, когда-либо зафиксированные для eDRAM (embedded Dynamic Random-Access Memory) – встроенной динамической памяти с произвольным доступом.

Новая технология, разработанная с использованием фирменной методики IBM «кремний на изоляторе» (Silicon-on-Insulator, SOI) в целях обеспечения высоких уровней производительности при низком энергопотреблении, позволяет значительно увеличить быстродействие многоядерных микропроцессоров, а также ускорить обработку мультимедийных данных и передачу данных по сетям. Эта технология, коммерческое применение которой ожидается в начале 2008 г., станет ключевым элементом стратегии IBM по развитию поколения микропроцессоров, произведенных по 45-нм технологии.

Новая микросхема eDRAM, созданная IBM по 65-нанометровым нормам SOI с применением метода изоляции с глубокими канавками (deep trench), приблизительно на треть улучшает показатели производительности процессорной памяти и на одну пятую – потребляемой мощности в режиме ожидания – по сравнению со стандартной технологией статической памяти SRAM.

«Используя это передовое решение в области микропроцессоров и памяти, IBM эффективно удваивает производительность процессора по сравнению с показателями, которые достигаются с помощью классического масштабирования процессорных ресурсов, – отметил д-р Субраманиан Ийэр (Subramanian Iyer), заслуженный инженер IBM и директор группы развития 45-нанометрового технологического процесса производства микросхем. – Поскольку полупроводниковые компоненты достигли размеров нескольких атомов, классическое материаловедение уступило место инновационному проектированию на микроэлектронном уровне как ключевому фактору, продлевающему действие закона Мура. Сегодняшнее сообщение является еще одним свидетельством лидерства IBM на одном из важнейших направлений развития микропроцессорных технологий».

Некоторые характеристики разработанной IBM технологии быстродействующей памяти eDRAM:
  • Размер ячейки: 0,126 кв. мм.
  • Рабочее напряжение питания: 1В.
  • Готовность: 98,7%.
  • Микроядро: 1K RowX16 Col X146 (2МБ).
  • Потребляемая мощность переменного тока: 76 мВт, в режиме ожидания - 42 мВт.
  • Цикл произвольной выборки: 2 нс.
  • Время ожидания: 1,5 нс.


21.03.2007

Заметили неточность или опечатку в тексте? Выделите её мышкой и нажмите: Ctrl + Enter. Спасибо!
Поделиться:

Оставить свой комментарий:

Для комментирования необходимо авторизоваться!

Комментарии по материалу

Данный материал еще не комментировался.