Rambler's Top100
 
Все новости Новости компаний

В АО «НИИЭТ» создают транзисторы для сетей 5G

20 марта 2020

Инженеры Научно-исследова- тельского  института  электронной  техники смогли создать транзисторы на основе нитрида галлия, материала будущего электронной промышленности. Транзисторы обладают улучшенными СВЧ-характеристиками для создания систем связи пятого поколения – сетей 5G.

Объемы данных, передаваемые современными пользователями мобильных устройств, постоянно растут с переходом от одного поколения к другому. При переходе на новые стандарты связи и мобильного интернета увеличиваются требования не только к персональным гаджетам, но и к базовым станциям. Ведущие мировые инженеры-разработчики стремятся создавать универсальные и эффективные компоненты, в том числе сердце приемо-передающих модулей базовых станций – мощные СВЧ-транзисторы.

Продвинуться в данном направлении удалось специалистам Воронежского Научно-исследовательского института электронной техники. Мощные СВЧ-транзисторы, разработаны на многообещающем перспективном материале – полупроводниковом нитриде галлия. За семь лет работы, как с  отечественными, так и зарубежными технологическими центрами, разработчики АО НИИЭТ» добились создания высокоэффективных транзисторных структур и изготовили на их основе серию сверхвысокочастотных транзисторов для нижнего диапазона частот 4 – 5 ГГц сетей 5G.

Мировой опыт по созданию компонентов микроэлектроники на основе гетероструктур нитрида галлия с высокой подвижностью электронов показал преимущества этого материала, который может заменить, и уже активно заменяет обычный кремний и арсенид галлия благодаря более высоким значениям удельной выходной мощности на высоких рабочих частотах. До сих пор массовому применению данного материала препятствовала его высокая стоимость и несовершенство.

Теперь инженеры и технологи смогли повысить качество гетероструктур нитрида галлия почти до бездефектного уровня и создать на его основе устройства, работающие до десяти гигагерц и выше с максимальной выходной мощность в сотни ватт для оптимального применения в сетях 5G.

Кроме применения нового материала специалисты предприятия разработали дискретные транзисторы на десятки и сотни ватт с цепями предсогласования, а также усилители мощности, выполненные по гибридной технологии с габаритными размерами, сравнимыми с обычной USB-флешкой. Достигнутые результаты, а также продолжающиеся работы по расширению номенклатуры изделий и созданию силовых приборов на нитриде галлия для комплектования источников питания с повышенным КПД и меньшими габаритными размерами планируется активно внедрять при построении аппаратуры, обеспечивающей высокоэффективное функционирование сетей 5G.

Поделиться:
Заметили неточность или опечатку в тексте? Выделите её мышкой и нажмите: Ctrl + Enter. Спасибо!

Оставить свой комментарий:

Для комментирования необходимо авторизоваться!

Комментарии по материалу

Данный материал еще не комментировался.