| Рубрикатор |  |
 |
| Все новости |  |
Новости отрасли | |
|
"Роснано" получит частицы "Ситроникса" и "Ангстрема"
| 08 июля 2009 |
Российская корпорация нанотехнологий рассмотрела вчера проекты создания в России производств микросхем с топологией от 90 нм до 130 нм. Рассматривались заявки двух производителей микроэлектроники — "Ситроникса" и "Ангстрема".
По данным «Коммерсанта», наблюдательный совет "Роснано" решил выделить более $200 млн на создание производства микросхем с топологией 90 нм. "К концу 2011 — началу 2012 года мы планируем наладить серийный выпуск продукции",— подтвердила вице-президент "Ситроникса" Ирина Ланина. В начале этого года "Ситроникс" уже начал производство чипов с топологическим размером 180 нм. "Роснано" получит около 50% уставного капитала компании, которая будет создана совместно с "Ситрониксом" позже, уточняет близкий к ним источник.
"Ангстрем" вчера также получил одобрение своего проекта в первой инстанции — научно-техническом совете "Роснано". В сообщении компании говорится, что проекту необходимы инвестиции в размере €190 млн или $265 млн. Председатель совета директоров группы компаний "Ангстрем" Дмитрий Милованцев сообщил, что "структуру финансирования еще не обсудили". Завод "Анстрема" должен начать выпуск изделий в 2011 году с топологией по крайней мере 130 нм, но, возможно, удастся договориться с властями США о лицензии и на 90 нм, говорит господин Милованцев. Создаваемая сейчас инфраструктура позволит развить технологии производства до 65 нм "без существенных капиталовложений", утверждает он.
"В мире много заводов, которые производят полупроводники. Поэтому успех проектов будет определяться тем, смогут ли компании убедить потребителей покупать их микросхемы или нет",— отметил глава Intel в СНГ Дмитрий Конаш. Глава Ассоциации производителей электроники Иван Покровский считает, что компаниям придется выходить на зарубежный рынок, чтобы окупить инвестиции. По данным ассоциации, в прошлом году объем рынка полупроводников в России составил около $1 млрд.
Источник: КоммерсантЪ
Адрес: 105082, Россия, г. Москва, 2-й Ирининский пер, д. 3
Оставить свой комментарий:
Комментарии по материалу
Данный материал еще не комментировался.