Rambler's Top100
 
Все новости Новинки

Toshiba готовит революционную память

14 декабря 2007

Toshiba разработала новую туннельную технологию, которая в будущем позволит создавать чипы памяти намного большей емкости на базе нового 10-нм техпроцесса.

Технология была анонсирована 12 декабря, на конференции International Electron Devices Meeting (IEDM) в Вашингтоне, США.
Toshiba готовит революционную память


Разработка Toshiba представляет собой туннельный слой, контролирующий перемещение электронов в Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor (SONOS), структуре памяти, где электроны удерживаются в нитридном слое изолирующего затвора. Новая структура представляет собой кремниевый кристалл толщиной 1,2 нм, расположенный между 1-нанометровыми оксидными пленками. Функционирование осуществляется посредством изменения величины напряжения на затворе. Такой тип памяти способен хранить информацию очень долгое время и обеспечивает высокую скорость записи и одновременного удаления битов.

Новая технология позволит хранить в одном слое до 100 Гбит (12,5 ГБ) данных. Для сравнения, современная одноуровневая NAND-память, используемая в плеерах iPod, флэш-накопителях и т.д., способна хранить лишь 16 Гбит. Обычно для увеличения емкости производители используют дополнительные уровни (слои). Иными словами, разработка Toshiba позволит изготавливать либо более маленькие чипы памяти, либо чипы, которые будут вмещать в 6,25 раз больше информации.


Помимо уменьшения размеров, японские инженеры заменили материал нитридного слоя с Si3N4 на Si9N10, что позволило существенно увеличить концентрацию электронов и улучшить работоспособность памяти. Как утверждается, чипы с использованием нового материала могут работать без сбоев более 10 лет.

Источник: CNews

Поделиться:
Заметили неточность или опечатку в тексте? Выделите её мышкой и нажмите: Ctrl + Enter. Спасибо!

Оставить свой комментарий:

Для комментирования необходимо авторизоваться!

Комментарии по материалу

Данный материал еще не комментировался.