• Новости
• Блоги
• Аналитика
• Новости компаний
• В СНГ и в мире
• Анонсы

МОП-транзисторы снижают тепловыделение

Новые МОП- транзисторы производства Toshiba Electronics Europe, имеющие каналы n-типа для переключателей нагрузки в мобильных устройствах с  низким сопротивлением в открытом состоянии, отличаются  тепловыделением, сниженным на 40% по сравнению с существующими изделиями.

Компания Toshiba Electronics Europe представляет два новых МОП-транзистора с каналом n-типа для переключателей нагрузки в мобильных устройствах с ведущим в классе низким сопротивлением в открытом состоянии. Транзисторы SSM6K513NU и SSM6K514NU позволяют создавать высокоэффективные системы с низким энергопотреблением и отлично подходят для применения в самых современных портативных устройствах с автономным питанием.

Применение технологического процесса формирования канавки серии U-MOS IX-H обеспечивает низкое сопротивление МОП-транзисторов в открытом состоянии. Номинальные значения RDS(ON) составляют 6,5 мОм для SSM6K513NU на напряжение 30 В и 8,9 мОм для SSM6K514NU на напряжение 40 В. Это позволяет снизить в новых устройствах тепловыделение, связанное с потерями при включении, примерно на 40 % по сравнению с существующими изделиями Toshiba, такими как SSM6K504NU.

Транзисторы SSM6K513NU и SSM6K514NU предназначены для применения в устройствах переключения электропитания мощностью более 10 Вт, включая малогабаритные мобильные устройства, соответствующие требованиям стандартов USB Type-C и USB Power Delivery (PD). Оба МОП--транзистора выпускаются в компактных корпусах SOT-1220.

Оставить свой комментарий:

Комментарии по материалу