Рубрикатор |
Все новости | Новости компаний |
Intel ускоряет инновации в области производства и корпусировки микросхем
28 июля 2021 |
Intel представила один из наиболее детальных за свою историю планов внедрения технологий производства и корпусировки микросхем, продемонстрировав серию фундаментальных инновационных решений, которые будут использоваться в ее продуктах до 2025 года и в дальнейшем.
- Intel 7 обеспечивает увеличение производительности на ватт примерно на 10-15% по сравнению с Intel 10nm SuperFin благодаря оптимизации транзисторов FinFET. Intel 7 будет представлен в таких продуктах как Alder Lake для клиентских систем в 2021 году и Sapphire Rapids для дата-центров, старт производства которых ожидается в первом квартале 2022 года.
- Intel 4 будет полностью использовать преимущества литографии EUV для формирования чрезвычайно маленьких элементов с применением инструментов экстремального ультрафиолетового диапазона. Intel 4 обеспечит улучшение производительности на ватт примерно на 20% наряду с дальнейшим увеличением плотности элементов на единицу площади. Intel 4 дебютирует в производстве со второй половины 2022 года и впервые появится в коммерческих продуктах 2023 года, таких как Meteor Lake для клиентских систем и Granite Rapids для дата-центров.
- Intel 3 будет основан на дальнейших оптимизациях технологии FinFET и расширенном применении инструментов EUV для достижения прироста производительности на ватт примерно на 18% по сравнению с Intel 4, наряду с другими улучшениями. Готовность Intel 3 к коммерческому производству ожидается во второй половине 2023 года.
- Intel 20A станет первым техпроцессом Intel, измеряемым ангстремах. Его реализация будет связана с двумя революционными технологиями – RibbonFET и PowerVia. RibbonFET с окружающим (Gate-All-Around, GAA) затвором станет первой новой транзисторной архитектурой Intel со времен первого внедрения FinFET в 2011 году. Эта технология обеспечивает более высокую скорость переключения транзисторов при меньшей занимаемой площади с током канала, сравнимым с многоканальной конфигурацией. PowerVia – это реализованная Intel первая в отрасли система подачи питания со стороны подложки, позволяющая оптимизировать передачу сигналов за счет избавления от необходимости маршрутизации цепей питания на фронтальной стороне кремниевой пластины. Запуск Intel 20A ожидается в 2024 году. Intel также рада возможности сотрудничества с Qualcomm в использовании технологического процесса Intel 20A.
- 2025 год и далее: помимо Intel 20A, в стадии разработки также находится процесс Intel 18A, запуск которого ожидается в начале 2025 года с улучшенной технологией RibbonF T для дальнейшего роста производительности транзисторов. В Intel также работают над определением, созданием и внедрением технологии High NA EUV следующего поколения и надеются получить первые в отрасли производственные инструменты на его основе. Для осуществления этого отраслевого прорыва, превосходящего возможности нынешнего поколения технологий EUV, Intel тесно сотрудничает с ASML.
- EMIB – использование небольших соединительных кристаллов с несколькими слоями межсоединений (Embedded Multi-die Interconnect Bridge, EMIB), по-прежнему остается передовой отраслевой технологией с первой практической реализацией мостового межсоединения в 2.5D-структуре. Продукты с применением EMIB поставляются с 2017 года. Sapphire Rapids станет первым массовым продуктом семейства Xeon для дата-центров с технологией EMIB. Он также станет первым в отрасли вдвое масштабированным устройством с уровнем производительности, который сравним с монолитной конструкцией. После Sapphire Rapids появится новое поколение технологии EMIB, где шаг между контактами уменьшится с 55 мкм до 45 мкм.
- Foveros представляет собой первое в своем роде решение 3D-компоновки для сборки микросхем на уровне кремниевой пластины. Meteor Lake станет вторым поколением клиентских продуктов с использованием Foveros, для них будет характерен шаг контактов 36 мкм, модули с различными нормами технологических процессов и диапазон расчетной тепловой мощности в пределах от 5 до 125 Вт.
- Foveros Omni – новое поколение технологии Foveros открывает широкие возможности гибкого применения 3D-компоновки для создания модульных конструкций и межсоединений между кристаллами. Foveros Omni позволяет создавать продукты с различными нормами технологического процесса благодаря возможности послойной разборки кристалла и последующей группировки нескольких верхних слоев одного кристалла с несколькими базовыми слоями другого. Готовность Foveros Omni к внедрению в массовое производство ожидается в 2023 году.
- Foveros Direct обеспечивает переход к прямому соединению меди с медью для формирования межсоединений с низким сопротивлением и стирает переход между кремниевой пластиной и корпусом микросхемы. Foveros Direct позволяет работать с зазором между контактами шириной менее 10 микрон, что обеспечивает увеличение плотности размещения межсоединения для 3D-компоновки на порядок и открывает недостижимые ранее возможности для реализации новых концепций функционального разделения кристаллов. Внедрение Foveros Direct, которая дополняет Foveros Omni, также ожидается в 2023 году.
Читайте также:
Представлен отечественный сервер на базе процессоров Intel последнего поколения
Транспортные билеты с отечественным чипом начали использоваться еще в 4 регионах России
Власти Испании инвестируют $12,4 млрд в разработку чипов
Intel заявила о приостановке всех деловых операций в РФ
AMD и Intel остановили поставки в Россию процессоров и видеокарт
Оставить свой комментарий:
Комментарии по материалу
Данный материал еще не комментировался.